名称铌酸锂刻蚀机型号NLD-570制造商日本ULVAC主要功能铌酸锂刻蚀、浅硅刻蚀技术指标样品最大支持8英寸，兼容小片。气体种类： O2、CHF3、Ar、C4F8、SF6、N2LiNbO3 刻蚀 (100mm wafer, Si substrate, 500nm脊波导)刻蚀深度≤500nm刻蚀速率>30nm/min侧壁角度>70°片内均匀性<±5%片间重复性<±3%侧壁粗糙度增加<5nm对Cr或Ni选择比>3:1Si刻蚀 (100mm wafer, SOI substrate)刻蚀深度≤220nm刻蚀速率<360nm/min侧壁角度>90±1°对PR选择比...

名称新Ⅲ-Ⅴ族 ICP型号PlasmaPro Cobra 300制造商英国牛津仪器Oxford Instruments Plasma Technology主要功能Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体刻蚀，InP、GaAs、GaN、AlN、GaP等。技术指标样品最大支持8英寸。现有压环4英寸。气体种类及最大流量（sccm）Ar：100、O2：20、O2：200、SF6：100、CHF3：100、CF4：100、N2：100、H2： 100、CH4：100、Cl2：100、BCl3：100。射频功率600W（13.56MHz）、ICP功率3000W（2MHz）。具有ALE原子层刻蚀功...

名称新RIE型号SI 591制造商德国SENTECH主要功能反应离子刻蚀，InP、SiO2、Si3N4等。技术指标样品最大支持8英寸，兼容小片。气体种类： O2、CHF3、Ar、H2、CH4、Cl2射频功率600W（13.56MHz）。温度范围-20℃~80℃。（1）SiO2刻蚀：刻蚀速率：≥ 20 nm/min片内均匀性：≤ ± 5%（4吋）片间重复性：≤ ± 3%侧壁角度： > 70°选择比：≥ 2.5:1 (SiO2:PR)（2）InP刻蚀：刻蚀速率：≥ 30 nm/min片内均匀性：≤ ± 3%（2吋）片间重复性：...

                                                                                                                           RIE                管理员：卢宏/李攀                所属单位：18luck新利电竞     状态：正常价格：校外：400元/60分钟，校内：200元/60分钟单位预约时间：30(单位:分钟)型号、参数及用途                多功能反应离子刻蚀机|ME-3A，氧气/Ar/CHF3/SF6/                主...

Ⅲ-Ⅴ族ICP管理员：卢宏/李攀                所属单位：18luck新利电竞                 状态：正常价格：校外：881元/60分钟，校内：666元/60分钟 单位预约时间：30(单位:分钟)型号、参数及用途                感应耦合等离子硅刻蚀系统|Oxford Plasmalab system 100 ICP 180；气体：Cl2\BCl3\CH4\H2\CF4\SF6\Ar\O2 主要技术指标及注意事项                用途：主要用于Ⅲ-Ⅴ族化合物工艺材料刻蚀。4英寸及以下。0-80℃。材...

Si-ICP_硅                管理员：卢宏/李攀                所属单位：18luck新利电竞                 状态：正常价格：校外：881元/60分钟，校内：666元/60分钟                单位预约时间：30(单位:分钟)型号、参数及用途                感应耦合等离子硅刻蚀系统|Oxford Plasmalab system 100 ICP 180；气体：CHF3\SF6\C4F8\Ar\O2 主要技术指标及注意事项                用途：主要用于Si材料刻蚀。 如：220nmSOI、浅硅...