名称分子束外延生长系统型号EVO-50 Si-Ge MBE System制造商Omicron NanoTechnology GmbH主要功能1、硅基Ge薄膜材料生长，用于研究硅基红外探测器，硅基激光器、硅基发光器件等关键光电子器件和相关器件的单片集成研究。2、Ge量子点的外延生长，用于硅基微腔量子点器件，硅基单光子源，硅基量子调控器件，硅基量子信息处理，硅基片上量子计算等领域的研究。3、硅基Si1-xGex量子阱的外延生长，用于硅基高速调制器的研制。技术指标...

名称低压化学气相沉积系统型号MINI TYTAN4600制造商TYSTAR USA主要功能LPCVD是用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并沉积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。平台此台LPCVD配有四根炉管，分别用于用于沉积 SiO2（干氧、湿氧）、Si3N4、 Poly-Si。技术指标样品舟为4英寸，6英寸。恒温区45cm，单管最多容纳2舟，单舟放置25片；温度控...

名称8英寸磁控溅射镀膜机型号JCPY600制造商北京泰科诺科技有限公司主要功能平台提供以下材料的靶材：Al、Cr、Ni-Cr(80Ni:20Cr wt%)、Ti、Cu、SiO2、W。其他材料请自备靶材。技术指标样品托盘为8英寸，4英寸。溅射面积最大为8英寸。靶材尺寸为直径100毫米。现有靶材Cr。气体:氩气，氧气，氮气。溅射方式:直流/射频。4靶位。衬底可加热500℃。  

名称原子层沉积型号ELEGANT II-200制造商原磊纳米材料有限公司主要功能沉积Al2O3、TiO2、HfO2、AlN、TiN、Si3N4、Pt等材料技术指标氧化铝沉积，6寸圆片均匀性小于等于1%；氮化铝沉积，6寸圆片均匀性小于等于1%;氮化钛沉积，6寸圆片均匀性小于等于2%;  

                       磁控溅射镀膜机_新                管理员：黄光/张广学                工艺类别：镀膜                所属单位：18luck新利电竞                 状态：正常价格：校外：600元/60分钟，校内：400元/60分钟           单位预约时间：30(单位:分钟)型号、参数及用途                溅射方式：直流/射频；3靶位；可加热。                主要技术指标及注意事项                样品托盘为6...

新电子束蒸发_new                管理员：徐巍（小）                工艺类别：加工                所属单位：18luck新利电竞                 状态：正常价格：校外：700元/60分钟，校内：500元/60分钟 单位预约时间：30(单位:分钟)型号、参数及用途                电子束蒸发镀膜系统|Ohmiker-50B                主要技术指标及注意事项                Ti/Au/Al/C

                   PECVD                管理员：卢宏/李攀                工艺类别：成膜                所属单位：18luck新利电竞                 状态：正常价格：校外：647元/60分钟，校内：500元/60分钟   单位预约时间：30(单位:分钟)型号、参数及用途                Oxford PlasmaPro 800 Stratum PECVD. 等离子增强化学气相沉积，温度范围20-400℃气体：5%SiH4/95%N2、N2O、NH3、80%CF4/20%O2，LF、HF双射...