Ⅲ-Ⅴ族ICP

感应耦合等离子硅刻蚀系统|Oxford Plasmalab system 100 ICP 180；

气体：Cl₂\BCl₃\CH₄\H₂\CF₄\SF₆\Ar\O₂

用途：主要用于Ⅲ-Ⅴ族化合物工艺材料刻蚀。4英寸及以下。0-80℃。材料：Al\Ga\In\N\P\As\SiO₂\SiN\Cr\PDMS。

尺寸：4英寸及以下。

温度：0-60℃。

掩膜：Cr、PR、SiO₂