名称 |
低压化学气相沉积系统 |
型号 |
MINI TYTAN4600 |
制造商 |
TYSTAR USA |
主要功能 |
LPCVD是用加热的方式在低压条件下使气态化合物在基片表面反应并沉积形成稳定固体薄膜。由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，并在衬底表面获得均匀性良好的薄膜淀积层。平台此台LPCVD配有四根炉管，分别用于用于沉积 SiO2（干氧、湿氧）、Si3N4、 Poly-Si。 |
技术指标 |
样品舟为4英寸，6英寸。恒温区45cm，单管最多容纳2舟，单舟放置25片；温度控制采用前馈算法，3点式R型内热电偶用于炉管温度控制，外热偶控温和功率测量控温用于备份控温；控温精度：≤±0.5℃@250℃-1250℃，温度分辨率：0.1℃； |
低压化学气相沉积-LPCVD Tystar（ U.S. ）Mini Tytan 4600使用说明及注意事项
本说明针对LPCVD标准工艺，每管承载一个石英舟，每石英舟承载25片4英寸、6英寸标准晶圆，气流稳定，以保障工艺重复性。
（关于碎片工艺：公共平台已扩展碎片舟托，因气流扰动，因需根据样品形状、舟内排布气流分布差异，碎片成膜速率需各自定测。)
第一管：湿法氧化 & N2 ANNEAL退火
典型膜厚范围：100-200 nm
气体：H2，O2，N2
氧化温度：800~1100℃
折射率：1.45 – 1.47
膜厚不均匀性：< 2% @ >2000 Angstroms 埃
应用范围: 光波导、绝缘、隔离（场氧化物和局部氧化）等
第二管：干法氧化 & N2 ANNEAL退火
典型膜厚范围：10-50 nm
气体： O2， N2，TLC
氧化温度：800~1100℃
折射率：1.45 – 1.47
膜厚不均匀性：< 3% @ >500 Angstroms 埃
应用范围：栅极氧化物、表面钝化、氮化物应力缓冲、牺牲氧化物、阻挡氧化物等
第三管：化学计量比氮化硅 & 低应力氮化硅
典型膜厚范围：100-2000 nm
气体：SiH2Cl2，NH3
典型温度：850℃
折射率：1.98 – 2.30
膜厚不均匀性：< 5% @>500 Angstroms 埃
应用范围：光波导、可变 TEC 和折射率、钝化、抗反射层等
第四管：多晶硅 & 非晶硅
典型膜厚范围：100-2000 nm
气体：SiH4
典型温度：多晶硅 650℃ & 非晶硅 560℃
折射率：3.5 – 5.5
膜厚不均匀性：< 3% @>1000 Angstroms 埃
应用范围：MEMS 结构、电阻器、MOSFET 栅极、DRAM 单元板、沟槽填充、双极晶体管发射极、太阳能电池等
微纳平台 LPCVD组
2024年1月11日
