武汉光电国家研究中心打造升级版“微纳工艺与表征平台”微纳工艺与表征平台将在现有硬件设备和工艺能力的基础上，依托集成光子学、光子辐射与探测、光电信息存储等三个研究部，重点建设三条光电子器件工艺线、表征测试平台和超算平台，包括以硅基光互连为代表的硅基光电子器件工艺线；以通信用高速光收发模块为代表的三五族化合物半导体光电子器件工艺线；以新体制二维材料光电子器件为代表的多材料体系混合光电子器件工艺线。...

名称高分辯率X射线衍射仪型号X   Pert pro MRD制造商荷兰菲利普主要功能用于测试半导体外延量子阱结构的综合性质量分析；对晶体膜层进行质量分析；单层金属膜厚分析。技术指标六维精密测角仪，五种测试模式：   Rocking Curve/Triple Axis/薄膜物相/反射率测试/倒易空间Mappin

名称椭偏仪型号RC2制造商美国J. A. Woollam主要功能1) 各种光电材料的光学常数分析，测量对象包括金属、半导体、超导体、绝缘体、非晶体、磁性材料、电光材料、非线性材料、各项同性和各向异性材料等。2) 薄膜材料的厚度以及粗糙度分析。技术指标在直射状态下，测量光束：45±0.03，：0±0.08；退偏振：0%±0.5%；15个归一化穆勒矩阵元；膜厚重复性优于0.005nm（30次25nm 热氧SiO2厚度测量的标度偏差

名称扫描探针显微镜型号Veeco   NanoScope MultiMode制造商美国Veeco主要功能提供起伏1微米以下样品的二维和三维形貌分析特性技术指标分辨率：横向0.26nm， 垂直1nm（以云母晶体标定）样品尺寸：最大可达直径12mm，厚度8mm  

名称探针式表面台阶测试仪（台阶仪手动）型号DektakXT制造商美国Bruker公司主要功能该DektakXT探针式表面轮廓仪是一种先进薄厚膜的台阶高度扫描工具。除了仿形表面形貌和波状起伏外，DektakX系统扫描nm量程的线粗糙度。技术指标台阶高度重复性4Å；扫描长度：50um-55mm垂直测量范围： 1mm（样品最大台阶高度不能超过500um）垂直分辨率：最大1Å（6.5um量程范围)探针压力：1－15mg ，常用3mg探针曲率半径：标配2um名称探针式表面台...

名称Raman谱/PL光谱测试仪型号HORIBA Jobin Yvon LabRAM Spectrometer HR 800 UV制造商法国J-Y公司主要功能物质成分的判定与确认技术指标可测光谱范围：330nm～2100nm光源：325nm，514nm，785nm光栅：300，600，1800，2400l/mm， PMT探测器响应范围：800～1700；800～210

名称电化学电容电压剖析仪ECV型号dage WAFER PROFILER CVP 21制造商德国Wep科技公司主要功能采用电化学腐蚀的方法，对半导体Wafer材料进行深度-载流子浓度的测试。技术指标主要应用范围为GaAs及InP系材料，对GaN材料腐蚀较慢。最佳测试范围：载流子浓度量级1015~1020/cm

名称钨灯丝SEM型号EVO-10制造商蔡司主要功能形貌分析技术指标分辨率：二次电子：3nm（30kv）；背散射电子像：4.5nm（30kv

名称高分辨透射电子显微镜型号Tecnai   G2 20 U-Twin制造商美国FEI公司主要功能形貌分析:获得非晶材料的质厚衬度像，多晶材料的衍射衬度像和单晶薄膜的相位衬度像(原子像)。结构分析：电子衍射，原子位错，孪晶类型，晶界结构等研究。成分分析：小到纳米尺度的微区或晶粒的成分分析。技术指标1.LaB6灯丝或钨灯丝2.点分辨率U-TWIN 0.19nmS-TWIN 0.24nm ; TWIN 0.27nm3.加速电压 20-200kV,连续可调4.放大倍数 25x - 1100kx5.样品...

名称热场发射扫描电镜型号Nova   NanoSEM 450 FP2053/45制造商捷克FEI公司主要功能以波长极短的电子束聚焦后在样品表面扫描，接收从样品表面激发出的二次电子信号成像。主要用于观察固体表面的形貌，也能与EBSD或电子能谱仪相结合，构成电子微探针，用于物质成分分析。此电镜可对导电率小的材料分析， 还可进行环境气氛下材料研究。技术指标分辨率： 高真空成像，0.8   nm @ 30kV (STEM) 1.0 nm @ 15 kV (TLD-SE) 1.4 nm @ 1 kV...