铌酸锂刻蚀机NLD

型号

NLD-570

制造商

日本ULVAC

主要功能

铌酸锂刻蚀、浅硅刻蚀

技术指标

样品最大支持8英寸，兼容小片。

气体种类： O₂、CHF₃、Ar、C₄F₈、SF₆、N₂

LiNbO3 刻蚀 (100mm wafer, Si substrate, 500nm脊波导)

刻蚀深度≤500nm

刻蚀速率>30nm/min

侧壁角度>70°

片内均匀性<±5%

片间重复性<±3%

侧壁粗糙度增加<5nm

对Cr或Ni选择比>3:1

Si刻蚀 (100mm wafer, SOI substrate)

刻蚀深度≤220nm

刻蚀速率<360nm/min

侧壁角度>90±1°

对PR选择比>1.5:1

片内均匀性<±5%

片间重复性<±3%

侧壁粗糙度增加<5nm