新RIE SENTECH SI 591

型号

制造商

德国SENTECH

主要功能

反应离子刻蚀，InP、SiO₂、Si₃N₄等。

技术指标

样品最大支持8英寸，兼容小片。

气体种类： O₂、CHF₃、Ar、H₂、CH₄、Cl₂

射频功率600W（13.56MHz）。

温度范围-20℃~80℃。

（1）SiO2刻蚀：

刻蚀速率：≥ 20 nm/min

片内均匀性：≤ ± 5%（4吋）

片间重复性：≤ ± 3%

侧壁角度： > 70°

选择比：≥ 2.5:1 (SiO2:PR)

（2）InP刻蚀：

刻蚀速率：≥ 30 nm/min

片内均匀性：≤ ± 3%（2吋）

片间重复性：≤ ± 3%

侧壁角度： > 70°

选择比：≥ 3:1 (InP:PR)