硅基ICP

感应耦合等离子硅刻蚀系统|Oxford Plasmalab system 100 ICP 180；

气体：CHF₃\SF₆\C₄F₈\Ar\O₂

用途：主要用于Si材料刻蚀。 如：220nmSOI、浅硅等。深硅刻蚀只能在周五进行。

尺寸：4英寸及以下。

温度：0-60℃。

掩膜：Cr、PR、SiO₂