类型 |
设备型号 |
设备名称 |
产地国 |
生产公司名称 |
性能指标 |
用途 |
光刻 |
VISTEC EBPG 5000PES |
电子束光刻系统 |
美国 |
荷兰VISTEC LITHOGRAPHY |
加速电压：50kV与100kV；束电流：100pA~100nA；扫描频率：25GHz；最小束斑直径：2.2nm；最小特征尺寸：8nm；写场拼接误差：20nm；套刻误差：20nm；可加工2～4寸晶片及碎片 |
可进行十纳米级特征尺寸的光刻,可应用于光电子、半导体、微纳机械等领域的相关研究中的微纳加工，如集成光学、光电子器件、半导体器件、掩膜板等的制备及加工。 |
光刻 |
MA8BA8GEN4 |
紫外掩模光刻机 |
德国 |
德国SUSS |
最高分辨率： 0.7微米
正反面对准精度：背面 小于1.0微米，正面小于0.5微米
曝光面积：8英寸
背面对准：可见光
曝光均匀性：8英寸范围内小于2.5%
曝光模式：软接触，硬接触，真空接触，接近式
具有计算机辅助对准的功能。 |
微纳芯片制造 |
光刻 |
NSR-2205I9C |
500纳米精度步进光刻机 |
中国 |
日本尼康 |
500纳米的曝光精度，150纳米的套刻精度，能在不同尺寸的外延片上来做光刻，从10mm×10mm尺寸到6英寸整片。其他一些指标包括：5英寸版，版到片上有5倍缩小，版上曝光面积：20cm×20cm所以片上最大的die的尺寸4cm×4cm，曝光功率600mW/cm2，曝光均匀性1.75%，步进的误差0.07微米，等等。 |
用于投影式步进光刻，光刻精度能达到500纳米，套刻精度能达到150纳米 |
光刻 |
EITRE 3 |
纳米微影压印机 |
瑞典 |
瑞典 OBDUCAT TECHOLOGIES AB |
最高温度：250℃；最高压力：60Bar；基片尺寸：小于3inch；制作图形分辨率：20nm |
无 |
刻蚀 |
100 ICP180 |
感应耦合等离子硅刻蚀系统 |
英国 |
OXFORD INSTRUMENTS PLASMA TE |
对硅基材料的微纳结构刻蚀 -Etching gases C4F8, O2, SF6, CHF3, Ar |
用途：主要用于Si材料刻蚀。
典型应用：微纳波导，微机电系统（MEMS）、微腔等器件的制作 |
刻蚀 |
PLASMALAB SYSTEM 100 ICP |
感应耦合等离子刻蚀机 |
英国 |
英国 OXFORD INSTRUMENTS |
对化合物半导体材料的微形貌刻蚀 -Etching thin films
-SiNx, SiO2, III-V, silicon, quartz，Cr
-RIE gases H2, CH4, CF4, O2, SF6, Cl2, Ar，BCl3 |
对化合物半导体材料的微形貌刻蚀 |
刻蚀/薄膜沉积 |
Discovery HDG |
反应离子束薄膜沉积设备 |
美国 |
美国 DENTON 真空 |
极限真空10^-8torr,工件盘转速0~20RPM可调,6英寸范围内的溅射均匀性优于 /-1.5%,样品加热温度300度，溅射和刻蚀双离子源 |
专用于镀制氧化钒薄膜，支持反应溅射沉积，同时具有离子束刻蚀功能. |
薄膜沉积 |
CCS3X2"FT/GAN |
金属有机物化学气相沉积设备 |
英国 |
英国THOMASSWAN |
反应室容积：6*2;主要生长2英寸外延片，生长的外延层厚度误差可控制在纳米量级 |
Ga、In、Al、As、P不同组合的GaAs基、InP基Ⅲ-V族化合物半导体微结构材料外延制备 |
薄膜沉积 |
CCS3X2"FT/INP |
金属有机物化学气相沉积设备 |
英国 |
英国THOMASSWAN |
反应室容积：3*2”，生长处的外延层厚度误差可控制在纳米量级 |
Ga、In、Al、As、P不同组合的GaAs基、InP基Ⅲ-V族化合物半导体微结构材料外延制备 |
薄膜沉积 |
TYTAN4600 |
低压化学气相沉积系统 |
中国 |
Tystar U.S.A |
deposition of thin films
-SiNx, SiO2,
LPCVD gases NH3, SiH4, O2,DCS |
用途：SiO2, Si3N4, 多晶硅薄膜制备；
规格：4-6”；50片/炉 |
薄膜沉积 |
EVO-50 Si-Ge MBE System |
分子束外延生长系统 |
德国 |
Omicron NanoTechnology GmbH |
1.主腔室本底真空度小于1X10-10mbar；2.主腔室的加热台兼容标准Omicron小样品、3’’衬底；3.衬底加热温度可到1470℃；4.主腔室提供6个NW63CF（4.5quot;外径）法兰和2个NW200CF（10quot;外径）法兰用于连接蒸发源,此外还提供10个法兰接口用于后续的流量监测、RHEED和光学实验。；5.快速进样室配备衬底存储盘，可存储6片衬底 |
实现高质量锗硅光电子材料的生长，例如硅基Ge薄膜材料生长，Ge量子点的外延生长，硅基Si1-xGex量子阱的外延生长 |
薄膜沉积 |
Ohmiker-50B |
电子束蒸发镀膜系统 |
中国 |
Cello Technology Co.,Limited |
可蒸镀多种金属，镀膜速率0~20A/S可调，片间炉间均匀性5%以内。 |
各种金属膜的制备，常用于半导体器件上的金属电极制备 |
薄膜沉积 |
MSP-3200 |
磁控溅射镀膜机 |
中国 |
北京创世微纳科技有限公司 |
2个真空室数量：预真空室和溅射室；极限真空：溅射室5.0＃215;10-5Pa（环境湿度≤55%）溅射靶：美国科.特.莱斯科φ75mm磁控溅射靶三只；每只靶均支持直流溅射、射频溅射；样品台转速：0-25rpm，连续可调；样品加热温度：在无挥发情况下，加热体加热温度≥700℃，可自动控温，测温；样品台载片量：6吋一片，或小于6吋样品若干；美国AE射频电源RF600W一台，自动匹配器一台，DC1500W直流电源一台，?Sparc-LEV可调频率脉冲发生器。 |
可在多种不同规格的规则基片（最大可达6英寸）或非规则基片上镀制金属、金属合金、金属氧化物或氮化物以及氮化硅、氧化硅等介质薄膜，支持反应溅射沉积和原位高温沉积。 |
薄膜沉积 |
PlasmaPro 800 Stratum PECVD |
等离子增强化学气相沉积系统 |
中国 |
英国牛津仪器 |
腔体直径46厘米；氧化硅、氮化硅镀膜均匀性±1%；温度20-400℃，真空度1mTorr。 |
氧化硅、氮化硅、氮氧化硅镀膜工艺。可以用于绝缘、介质膜、光学镀膜如减反射膜系等。 |
测试 |
CVP21 |
电化学电容电压剖析仪 |
德国 |
德国Wep科技公司 |
采用电化学腐蚀的方法，对半导体Wafer材料进行深度-载流子浓度的测试。
主要应用范围为GaAs及InP系材料，对GaN材料腐蚀较慢。 |
最佳测试范围：载流子浓度量级10^17~10^21 |
测试 |
EVO 10 |
扫描电子显微镜 |
英国 |
英国/Carl Zeiss Microscopy Ltd |
性能：具有高真空二次电子探测器背散射电子探测器，样品仓尺寸310 mm (Ø) x 220 mm (h)，压力可变范围10~400Pa，样品室红外CCD成像系统，加速电压范围：200V～30kV，放大倍数范围：7X～1,000,000X，分辨率：高真空二次电子像：3nm @30kV； |
测量样品的表面特性，主要是形貌特征 |
测试 |
FLT-107 |
半导体激光器测试仪 |
中国 |
台湾钒创科技有限公司 |
mA级电流注入 P I V性能测试，光纤接入，光谱分析仪典型特性分析 |
对激光器芯片远场特性的测试 |
测试 |
Wyko NT1100 |
光学轮廓仪 |
美国 |
Veeco |
10倍Nikon物镜(工作距离：49.5mm;数值孔径：0.2;分辨率：1.6μm)。 |
应用于早期硅工艺的表面表征 |
测试 |
Tecnai G2 20 U-Twin |
高分辨透射电子显微镜 |
捷克共和国 |
美国FEI公司香港分公司 |
1.点分辨率0.19nm；线分辨率0.14nm；2.加速电压：200kV;3.放大倍数：25–100万倍;4.相机长度:45-4500mm;5.能谱分辨率136eV； |
物理学,材料科学,能源科学技术 |
测试 |
Quanta 3D FED |
扫描电镜/聚焦离子束电镜系统 |
捷克共和国 |
美国FEI公司 |
1.工作模式：高真空、低真空、环扫共三种模式；2.放大倍数：30倍—128万倍；3.分辨率：电子束1.2nm（工作电压30kV）;离子束5nm；4.加速电压：0.2Kv—30Kv；探针电流：电子束可持续调节，高达200nA；离子束1pA-65nA；能谱：探测元素范围B5-U92，能量分辨率：136eV。 |
物理学,材料科学,能源科学技术 |
测试 |
Nova NanoSEM 450 |
热场发射扫描电镜 |
捷克共和国 |
捷克FEI公司 |
1.放大倍数：35—90万倍；2.分辨率：工作电压15kV时分辨率为1.0nm3.加速电压：0.2Kv—30Kv;4.能谱：探测元素范围B5-U92，能量分辨率：136eV。 |
材料纳米尺度表面形貌分析和元素分析 |
测试 |
X Pert pro MRD |
高分辯率X射线衍射仪 |
新加坡 |
荷兰菲利普 |
六维精密测角仪，五种测试模式：
Rocking Curve/Triple Axis/薄膜物相/反射率测试/倒易空间Mapping |
用于测试半导体外延量子阱结构的综合性质量分析；对晶体膜层进行质量分析；单层金属膜厚分析。 |
测试 |
MuLtiMode |
扫描探针显微镜 |
美国 |
Veeco |
分辨率：原子力显微镜(AFM)：横向 0.26nm, 垂直 1nm（以云母晶体标定）
机械性能：样品尺寸：最大可达直径12mm，厚度8mm
扫描范围：125X125μm，垂向5μm；样品台XY方向的移动范围为2mmx2mm。样品最大尺寸：直径：15mm；厚度：6mm。 |
该仪器目前仅配备了接触式原子力显微镜(AFM)配件、可以测量样品的表面特性，主要测试样品表面形貌 |
测试 |
GES-SE |
光谱椭偏仪 |
法国 |
法国sopra公司 |
光源 : Xenon lamp: 75W, 短弧放电, 高亮度, 平均无故障工作时间>2000小时
入射角：7到90度
定位精度:~0.01度
4000步/度的分辨率：0.0025度
典型尺寸：3mm X 12mm（75°入射角）
型号：SOPRA GES-5E |
可见光波段全自动连续光谱式连续角度可变光谱,专门为先进薄膜表征的研发应用设计的高分辨可变角度光谱式椭偏仪（旋转起偏器型）.可分析测试膜层、膜堆的厚度及折射率。仪器光源波长为190-2050 nm，检测折射率为633 nm（所有材料的折射率都是在633nm测得） |
动力 |
EATON ARAY-3A3-150KVA |
不间断电源 |
中国 |
伊顿 |
可供超净间用电4小时 |
该设备广泛应用于科研实验室、教学机构、医疗等相关领域，用于紧急停电时，给激光器和成像系统供电 |
辅助 |
MST-Web-DVS |
气体检测系统 |
中国 |
香港锐励电子技术公司 |
该系统可实时探测有毒气体的泄露情况，并与工艺设备进行联动，探测精度可达PPM量级。 |
该系统可实时探测有毒气体的泄露情况，并与工艺设备进行联动，探测精度可达PPM量级。 |
