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武汉光电论坛第183期:高迁移率二维材料的制备与界面调控

来源:   作者:  发布时间:2023年02月21日  点击量:

报告题目:高迁移率二维材料的制备与界面调控

时间:2023年2月27日15:00-16:30

报告人:彭海琳教授,北京大学

邀请人:唐江教授,18luck新利电竞

地点:18luck新利电竞 新光电信息大楼C111

报告人简介:

彭海琳,北京大学博雅特聘教授。吉林大学学士(2000年)、北京大学博士(2005年),斯坦福大学博士后(2005~2009年),2009年到北京大学工作至今,主要从事二维材料物理化学与表界面调控研究,在高迁移率二维材料的精准合成、界面调控、制备装备研制和器件应用方面取得进展,已发表论文260余篇(含Science和Nature及子刊30余篇),连续入选“科睿唯安”高被引学者榜单,撰写中文专著两部,授权专利60余项。曾获国家杰青、万人计划领军人才、Small Young Innovator Award、茅以升北京青年科技奖、国家自然科学二等奖、教育部青年科学奖、科学探索奖等荣誉。现任北京大学化学与分子工程学院副院长、北京石墨烯研究院(BGI)副院长。

报告摘要:

高迁移率二维材料展示出优异的电学、热学、光学和力学性质及广阔的应用前景。本报告将介绍新型高迁移率二维材料(Bi2O2Se、石墨烯)的精准合成与关键界面结构调控方面的进展:率先开发了一类全新超高迁移率二维半导体材料Bi2O2Se,实现了二维单晶晶圆制备和表界面调控,构筑了高κ自然氧化物栅场效应晶体管、逻辑门、气体传感器及红外探测器件;实现了高品质石墨烯薄膜的精准快速合成和规模化制备,研制了石墨烯薄膜连续生长和4英寸石墨烯单晶晶圆生长装备,构筑了高性能石墨烯片上集成器件及硅光通信器件,并设计和开发了一系列高品质石墨烯透射电镜载网,成功应用于高分辨冷冻电镜成像表征。


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