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无接触电阻率

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无接触电阻率测量

测量原理

基于近邻探测振荡器芯片发展的一种适用于脉冲强磁场下的无接触式射频测量技术。在测量中,样品表面电导率的变化会使探测线圈中的电感发生变化,继而使LCR谐振电路的共振频率发生变化而被探测。在测量中,无需给样品引入电流和电极,可避免发热或接触电阻等问题。在微小尺寸、表面光滑、表面敏感、温度敏感等类型样品的输运研究中具有显著优势

                                        

                               图1 测量原理图

测量条件

磁场强度:0-80T

磁体孔径:20mm

样品温度:0.4-300K

频率分辨率:优于0.3%

                                             

                              图2 样品装配方法图

典型数据

脉冲强磁场下的电阻率测量常用于揭示物质内部电子能带结构及各类相互作用以及探索极端条件下的新奇量子态和物理效应等。无接触电阻率测量是对传统电输运手段的一种补充,以适应更复杂的样品测量需求。图3显示的是铜基高温超导体的无接触电阻率测量。该项研究提供了YBCO的费米面信息,为揭示铜基超导体中小费米口袋相关的量子振荡具有一个孤立的二维费米面口袋提供了实验依据。

                                           

   图3 利用PDO技术探测的铜基高温超导体中的量子振荡[Nat. Phys. 16, 841-847(2020)]

相关文献

Nat. Phys. 16, 841-847(2020). M. Hartstein, et al.

联系人

李小康(Email: lixiaokang#hust.edu.cn#换成@)