测量原理
脉冲场压力输运测量结合了脉冲强磁场、高压、极低温三种极端条件，实现了对材料物性的多场调控，为科研人员探索物质结构提供了有力的手段。脉冲强磁场实验用的压力包为特殊设计的低涡流结构，以减少压力包在脉冲场下的涡流发热。陶瓷和金刚石材质的压砧可为样品提供不同空间尺寸的高压腔。
图1 实验原理图
测量条件
磁场强度：0-60T
实验温度：1.5K-400K
测量精度：~1mΩ（交流法），~100mΩ（直流法）
测量范围：1mΩ~10kΩ
压力范围：0-4Gpa陶瓷压砧，0-30Gpa金刚石压砧
样品尺寸：< 0.5×0.2mm陶瓷压砧，< 50×50μm金刚石压砧
测量通道：4-8通道
图2 测量方式和样品尺寸
典型数据测量条件
压力下电输运性质的研究对材料的认识和应用具有重大意义。在压力的作用下，物质内部结构发生变化，会导致原子（分子）重新排列或间距改变，以及出现新的能带结构。这些变化会反映在物质的电阻率、霍尔以及光电导等宏观电学参量上。图3展示了钼紫青铜体系材料KMo6O17在不同压力下的磁电阻曲线，表明压力对CDW具有抑制作用。
图3 脉冲场下转角磁阻测量
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暂无。
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