10月25日，《国家科学评论》（NationalScienceReview）在线发表了我院交叉学科中心蔡凯明教授和国际同行关于高性能自旋磁性存储器的观点文章，文章题目为“Spin-based magnetic random-access memory for high-performance computing”，物理学院蔡凯明教授是文章的第一作者兼通讯作者。研究工作得到国家自然科学基金委项目支持。

存储器是当今计算机系统中数据存储和处理的关键部件之一。随着半导体工艺节点技术的发展，嵌入式闪存(eFlash)和缓存（SRAM）等主流存储技术正面临着严重的扩展和功耗问题。高密度、高能效的存储器解决方案变得更加迫切。传统电子学器件通过操纵电荷来处理信息，而自旋电子设备以电子自旋为基础，可以实现更快的操控性能，也提供了新型的计算解决方案。在过去二十年里，以自旋转移力矩（STT）、自旋轨道力矩（SOT）和电压控制磁各向异性（VCMA）等写入机制的各类新兴磁存储器表现出更加优越的性能，具有高速度、非易失性、高稳定性、强扩展性以及与CMOS 技术兼容等优点，得到了学术界和工业界广泛关注。研究团队基于前期在工业界工作的经验积累，在本文中对几种新型磁存储器件的优势、技术难点和未来发展趋势等做了概述性评论。此外，蔡凯明教授主要从事磁性存储器器件物理和集成研究，课题组长期招聘优秀研究生（硕士和博士生）、博士后和研究员等，欢迎联系和加入。

图1： 各种新兴磁性存储器件和基于磁性电子器件的新型计算。

文章链接:https://doi.org/10.1093/nsr/nwad272