脉冲激光沉积（PLD）设备简介（光电信息大楼A321室）

PLD图片

设备名称

脉冲激光沉积系统

设备简介

脉冲激光沉积由Twente Solid State Technology TSST B.V.公司研发，利用KrF准分子激光激发靶材，可在高真空条件下（~10^-9mbar）于宽温区内（<900&ordm;C）生长纳米结构。 同时，根据需求，可以提供生长气体， 如O₂环境。适于精确控制组分，可用于薄膜制备，纳米结构生长，以及超晶格结构的制备等复杂微纳结构。

技术参数

主腔

1) 真空系统： 机械泵 +分子泵以保证理论最低真空度在 ~10^-9mbar。

2) 分子泵正常工作状态：< 1A 1 kHz。

3) 靶基距：55 mm。

4) 靶托：共有五个靶位，可同时生长五种不同材料。

5) 加热器：由铂铑合金制作，通过高温银浆或者特殊夹具粘合基板并借由铂铑合金热电偶加热。

送样室： （PLD）

1) 真空系统： 机械泵 +分子泵以保证理论最低真空度在 ~10^-5mbar。

2) 分子泵正常工作状态：< 1A 1 kHz。

激光系统：（PLD）

1) 激光：KrF准分子激光（248 nm）。

2) 激光能量可调范围：0 – 750 mJ。

3) 激光功率可调范围：0 – 7.5 W。

4) 激光频率可调范围：1 - 10 Hz。

5) 激光扫描方向：x与 y方向。

6) 激光电压可调范围：22 – 27 V

温控系统：

1) 控温范围：< 900&ordm;C。

2) 升温速率：~40&ordm;C/min。

3) 温度稳定性：具有PID自冷静调节机制。

4) 温度控制：升温可以直接由PC端通过软件控制。

注意事项

挥发性材料与腐蚀性材料需要提前报备。

靶材尺寸不能超过25 mm，厚度~50μm。

加工适用于加工薄膜尺度小（一般为纳米级），粗糙度与组分精度要求高，同时对脉冲激光响应较明显的材料。