个人简介
姓名：余国义
职称：高级工程师
中心职务：兼职教师
专业方向：集成电路工程系
联系方式:yuguoyi@189.cn
办公室:光电信息大楼C751室
学习与工作经历
1996~200018luck新利电竞
，电子科学与技术系固体电子学与微电子学专业，学士。
2000~200318luck新利电竞
，电子科学与技术系固体电子学与微电子学专业，硕士。
2003~200618luck新利电竞
，电子科学与技术系固体电子学与微电子学专业，博士。
2007~至今 18luck新利电竞
光学与电子信息学院、武汉国际微电子学院，副教授级高工
2007~200918luck新利电竞
计算机科学与技术学院，博士后研究员
研究领域:
主要研究方向是混合信号电路设计、传感器信号检测与处理电路设计、超低电压/电源管理CMOS集成电路设计。
感兴趣的研究领域包括：面向智能机器人、穿戴式生物医学及健康保健、和物联网应用的高效节能集成电路与系统设计，非临床医疗信息器械、信息化管理集成平台设计
感兴趣的研究领域还包括：基于模拟阈“感算一体化”智能芯片设计
个人成果及招生信息：
主持教育部基金1项，主持湖北省基金1项，主持武汉市科技公关项目1项；作为项目核心成员申请了国家自然科学基金6项，参与国家863计划项目2项。承担本科课程“数字集成电路设计”、“IC设计课程设计”，研究生课程“CMOS混合信号集成电路设计”、“射频集成电路设计”；获得18luck新利电竞
教学优秀奖二等奖1次；获得“华为杯”全国研究生“创芯”大赛优秀指导老师1次；获得大学生集成电路（IC）大赛优秀指导老师3次。
本课题组依托于18luck新利电竞
光学与电子信息学院、武汉国际微电子学院和超大规模集成电路与系统研究中心，教育资源与实验条件优越。希望全国各高校包括18luck新利电竞
的优秀学子加入攻读硕士学位。欢迎电子、信息等大EE专业背景的学生报考。本课题组与国内一流研究机构，以及新加坡、澳门、日本、荷兰等国际一流大学保持密切的合作关系，对特别优秀的硕士生和本科生可进行短期交换或联合培养。我们也欢迎优秀的本科生到课题组进行毕业设计和实习。
在研项目:
基于神经网络的高能效仿神经形态计算芯片研究，自然科学基金面上项目（2020-2023）
基于神经网络的高效能机器人建图定位导航芯片研究，科技部重点研发智能机器人专项（2020-2022）
学术兼职
IEEE会员, IEEE固态电路学会,电路与系统学会
IEEE电路与系统、电子器件、固态电路学会武汉联合分会理事
IEEE电路与系统学报、IEEE Access学报和Elsevier微电子学报等国际期刊审稿人
IEEE ICTA、A-SSCC、ISCAS、EDSSC等集成电路、器件与系统国际会议技术委员会委员、审稿人
主要论文
1.Y. Zhan, Z. Wang, J. Xu,G. Yu, Fen. An, W. Chi , and C. Wang, “Fast CORDIC based Generalized-Voronoi-Diagram Hardware Accelerator for Efficient Robotic Exploration,” in Proc. of IEEE International Conference on Robotics and Automation Engineering (ICRAE 2020), Nov. 20-22, 2020.
2.Xu, Y. Zhan, Z. Wang, G. Yu, Y. Li, and C. Wang, “A Novel Variation-aware Error Monitoring Scheme for Memristor-based Material Implication Logic” in Proc. of IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications (ICTA 2020), Nov.23-25, 2020.
3.Y. Zhan, A. Hu, Z. Lu,G. Yu, and C. Wang, “An Ultra-low Power Relaxation Oscillator with Novel Ultra-low Leakage Switch and Temperature-compensated Resistor,” in Proc. of IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications (ICTA 2020), Nov.23-25, 2020.
4.Y. Zhan, G. Yu, J. Xu, J. Li, and C. Wang, “Ultra-Low Power Relaxation Oscillator Based on Negative Capacitance Ferroelectric Field-Effect Transistor,” in Proc. of IEEE International Conference on Integrated Circuits, Technologies and Applications (ICTA 2019), Nov.13-15, 2019.
5.Yu Guoyi,Deng Yelei, Zou Xuecheng and Zheng Zhaoxia. A FVF LDO Regulator with Damping-Factor-Control Frequency Compensation for SOC Application. ICSICT-2014, Guilin China. p.1362-1364. 2014.
6.Yang Dan, Yu Guoyi*, Zou Xuecheng, Deng Yelei, Zhong Jianfu. The Design and Verification of a Novel LDPC Decoder with High-efficiency.14th ISIC-2014, Marina Bay Sands,Singapore. P.256-259. 2014.
7.Yu Guoyi,Zou Xuecheng, Zhang Le. A Low-noise High-gain Trans-impedance Amplifier with High Dynamic Range in 0.13μm CMOS. RFIT-2012. Resorts World sentosa,Singapore. P.37-40. 2012.
8.Zhou Yefeng, Yu Guoyi*, Zheng Meijun, Zhang Le. Design of High-performance Transconductance Error Amplifier for DC-DC Converter. MEC-2011. JiLin, China. P.1352-1354. August, 2011.
9.Yu Guoyi,Zou Xuecheng. A novel low-voltage high precision current reference based on subthreshold MOSFETs. J. of Zhejiang University: Science A.Vol.8 (1), p. 50 - 55. August , 2011.
10.Yu Guoyi,Zou Xuecheng. A novel current reference based on subthreshold MOSFETs with high PSRR. Microelectronics Journal. V39(12), P. 1874–1879. December 2008..
技术专利
1.王超，余国义,詹翊，汪昭旭.一种用于矩阵乘法密集型算法的可重构矩阵乘法加速系统，中国发明专利，申请号：2020112643430。
2.余国义，郑加章.一种疾病数据分析处理模型的构建方法、系统及应用,中国发明专利，ZL201810071301.1.
3.余国义，康帅灵，郑加章.一种胎心音处理方法及其处理装置,中国发明专利，ZL201710659154.5.
4.余国义，陈壮，黄伟，邹雪城，郑朝霞.一种用于连续窄脉冲下的APD像元电压读取电路,中国发明专利，ZL201510763277.4.
5.余国义，黄伟，陈壮，邹雪城，郑朝霞.一种APD像元块输出电压四通道选择电路及其输出方法，中国发明专利，ZL201510759842.X.
6.余国义，黄伟，陈壮，邹雪城.一种APD阵列地址编码主动输出电路，中国发明专利，ZL201510765438.3.
7.余国义,邓业磊.一种SWP协议中CLF芯片接口电路，国家发明专利，ZL201410266766.4.
8.余国义,邓业磊.一种CLF芯片接口电路，实用新型专利，ZL201420321537.3.
9.邹雪城,王保存，余国义.一种基于电感耦合的无线通信补偿方法，国家发明专利，ZL201310028315.2.
10.余国义,邹雪城.一种静态随机访问存储器的存储单元，国家发明专利，ZL200810047681.1.
11.陈晓飞，邹雪城,余国义.一种低功耗双电容驰张型CMOS振荡器，国家发明专利，ZL200810047183.7.
12.郑朝霞，邹雪城,余国义.一种异构轻量级的真随机数产生器，国家发明专利，ZL201210472888.X.
