Introduction to MOSFET and thin film transistor

纳米晶体管与薄膜晶体管简介

时 间： 2018年9月20日14 : 30 - 16 : 00

地 点： 南五楼612学术报告厅

报告人： 张鼎张 教授 台湾中山大学

邀请人： 缪向水 教授

报告摘要：

近年来，更快速、更便利的智能型便携设备，如智能手机、平板等涌入人们生活，为人们创造着更智能和更便捷的生活。这其中，纳米电子和平面显示屏的发展功不可没。而无论是纳米电子或平面显示屏，其最核心的组件就是“金氧半场效晶体管(MOSFET)”，晶体管每年遵循着穆尔定律(Moore law)，每一代晶体管微缩0.7倍，容量变成4倍，但价钱不变。而平面显示屏部分，主要是在玻璃上或者是柔性塑料基板上制作薄膜晶体管，作为驱动LCD与OLED等显示介质主要的核心器件，也意味着薄膜晶体管是影响平面显示屏发展的主要核心技术。纳米电子与平面显示屏皆为台湾蓬勃发展的重要产业，产值都突破上兆元，为台湾的重点发展产业。本次演讲主要是讲解纳米晶体管与薄膜晶体管的原理与趋势，此外，本次演讲也将分享报告人和台湾业界的产学合作经验。

报告人介绍：

张鼎张，男，博士，台湾中山大学物理学系教授，博士生导师。长期从事半导体元件物理、记忆体元件、薄膜晶体管元件及先进晶体管元件的研究工作。多年来已成功研发多种先进前瞻晶体管、记忆体元件及显示器组件，与台湾的大厂商如台积电（TSMC）、联电（UMC）、友达光电（AUO）、群创光电（InnoLux）等公司有密切合作，共同合作研发前瞻半导体元件。张教授的研究以元件物理机制为学术基础，能有效厘清新世代电子组件的瓶颈与复杂问题，进而突破瓶颈并解决问题，总体研发成果十分丰硕。其团队发表SCI国际期刊论文400余篇，特别是在电子器件顶尖国际期刊IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS上，每年发表数量均领先全球，近五年发表数量达48篇(占总数量约~2 %)，为世界电子组件领域杰出研究团队群之一。相关研究获得180余项发明专利（含美国专利49项），大部分专利经由产学合作计划转移给合作公司。由于其丰硕的研究成果对产业发展的贡献，先后获得台湾科技部“杰出研究奖”、台湾教育部“产学合作奖”、台湾经济部“第四届产业创新奖”和“第八届纳米产业科技精英奖”以及中国工程师协会“杰出工程教授奖”。