近日，由研究所王兴晟教授牵头，联合清华大学、复旦大学申报的“高算力高能效的大规模忆阻器阵列存算一体芯片研究”项目喜获2023年度国家自然科学基金“叶企孙”科学基金重点项目资助，资助经费258万元。

为了突破大数据、人工智能计算的算力和能效瓶颈，针对大规模忆阻器阵列存算一体芯片的关键问题，王兴晟教授团队提出了忆阻器类超晶格设计思想，有力改进了忆阻器的类脑突触渐变特性，制备了多值性能优异的HfOx/AlOy类超晶格忆阻器，成功突破大规模忆阻阵列CMOS混合集成工艺方法，完成大规模新型存储器存算一体化电路和芯片架构的设计流片，成功开展了多批次8英寸忆阻器芯片流片，获得稳定高良率。这一研究将从大规模忆阻器集成阵列的选控机理、低功耗外围电路设计方法和高算力创新芯片架构展开基础性探讨和深入研究，从多个层面提出创新思路，开展芯片跨层次软硬件协同设计，实现忆阻器存算一体芯片高能效算力设计方法的突破，服务人工智能、大算力等国家重大战略需求。

【“叶企孙”科学基金简介】叶企孙教授创办清华大学物理系，一生引领了众多中国科学大家的科学之路，居功甚伟，被称为“大师的大师”。作为其冠名基金，“叶企孙”科学基金旨在深入贯彻落实创新驱动发展战略，充分发挥国家自然科学基金的导向作用，围绕工业科技发展需求，开展基础性、前沿性和探索性研究，促进现代工程技术与基础科学融通发展，解决“从0到1”的基础科学问题，提升自主创新水平。