IEEE国际电子器件会议（IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)）是世界上报告半导体、电子元件技术、设计、制造、物理和建模领域的技术突破的杰出论坛，是微电子器件领域的顶级会议。IEDM作为全球最大最具影响力的论坛之一，涵盖了硅、化合物、有机半导体与新兴材料系统元件的讨论和简报，在推动诸如神经形态计算、三维集成和各类先进存储器等微电子学、电子工业领域的发展上发挥关键作用。

最近，ISMD研究所博士生付瑶瑶、周越、黄晓弟在导师何毓辉、李祎和缪向水教授的共同指导下，以“Forming-free and Annealing-free V/VOx/HfWOx/Pt Device Exhibiting Reconfigurable Threshold and Resistive switching with high speed (<30 ns) and high endurance (>10 ^12/>10^10)”为题的研究工作被2021 IEDM会议存储器分论坛（memory session）接收，这是研究所在IEDM存储器领域的历史性突破。

该工作设计与制备了性能高度可靠V/VOx/HfWOx/Pt忆阻器件，基于其电压依赖的易失/非易失特性分别实现了神经元与突触功能的模拟。此多模器件在功耗、速度与耐受能力等方面均达到行业顶尖，为全忆阻脉冲神经网络提供了可行的硬件解决方案。

该工作得到了清华大学高滨老师、香港理工大学柴扬老师的指导和帮助。