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科技成果转化公示〔2023〕12号——一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件

来源:    作者:    发布时间:2023-03-17    阅读量:


根据《18luck新利电竞 科技成果转化管理办法》规定,对我校武汉光电国家研究中心孙军强团队的“一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件”成果转化相关事项公示如下:

一、成果名称及简介:

成果包含如下1项知识产权:

(1)发明专利:一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件

发明人:孙军强,张意

专利号:ZL201811529867.0

专利权人:18luck新利电竞

简介:本发明公开了一种锗硅量子阱电致折射率调制器和集成光电子器件,包括:P型硅衬底,P型锗硅合金缓冲层,本征锗硅合金下隔离层,本征锗硅合金耦合量子阱层,本征锗硅合金上隔离层,N型锗硅合金盖层,本征锗硅合金耦合量子阱层由多个非对称耦合量子阱组成,单个非对称耦合量子阱由两个不同宽度的量子阱,一个中间薄壁垒,两个侧边壁垒组成,相邻两个非对称耦合量子阱共用一个侧边壁垒区,两个侧边壁垒的锗硅合金组分配比相同,中间薄壁垒的Ge含量必须低于所述两个侧边壁垒.中间垒区Ge含量低的非对称耦合量子阱,势垒高度比两侧势垒区高,防止中间垒区两侧的量子阱在无外加电场时发生耦合,在加电场发生耦合时,对两个量子阱的耦合控制效果更好.

二、拟交易价格

普通许可:75万元。

三、价格形成过程

经全体发明人同意,并与深圳爱德泰科技有限公司协商,双方同意该成果以协议定价75万元实施许可,期限5年。

特此公示,公示期15日,自2023年3月17日起至2023年3月31日。如有异议,请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人:曹老师,谭老师

联系电话:87558732

科学技术发展院

2023年3月17日

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