Cinque Terre

公示

首页 - 公示 - 正文

科技成果转化公示〔2021〕28号——微纳结构制备及检测技术

来源:    作者:    发布时间:2021-07-05    阅读量:


根据《18luck新利电竞 科技成果转化管理办法》规定,对“微纳结构制备及检测技术”成果转化相关事项公示如下:

一、成果名称及简介:

成果包含如下4项知识产权:

发明专利1:一种空心微针阵列制造方法

发明人:廖广兰,林建斌,谭先华,史铁林,汤自荣

专利号:ZL 201710416112.9

专利权人:18luck新利电竞

简介:本发明属于微纳结构制造工艺领域,并公开了一种空心微针阵列制造方法,包括以下步骤;1)镀金属种子层;2)旋涂负性光刻胶层;3)对负性光刻胶层进行前烘;4)曝光:在掩膜版的上方采用紫外光源对负性光刻胶层进行曝光,则光穿过掩膜版后透入负性光刻胶层,使负性光刻胶层的部分区域发生光固化反应;5)显影:采用显影液对负性光刻胶层进行显影,以去除未发生光固化反应的负性光刻胶;6)电镀结构层,形成微针针壁;7)采用有机溶剂去除负性光刻胶,在基底上获得空心微针阵列结构。本发明由于小尺寸掩膜版图形的光学衍射作用,显影后会在负性光刻胶层上形成上小下大的空洞结构,由此电镀填充得到的金属微针针壁具有很好的结构稳定性。


发明专利2:一种超致密Cu(OH)2纳米线的制备方法及产品

发明人:廖广兰,林建斌,谭先华,方涵,史铁林,汤自荣

专利号:ZL 201811208448.7

专利权人:18luck新利电竞

简介:本发明属于微纳制造技术领域,并公开了一种超致密Cu(OH)2纳米线的制备方法及产品。该方法包括,1)ZnO种子层制备:在基底上沉积一层ZnO薄膜;2)ZnO催化纳米棒的制备:在所述沉积有ZnO的基底置于Zn(NO3)2·6(H2O)和C6H12N4混合生长液中;3)Cu种子层制备:在所述ZnO催化纳米棒表面沉积一层Cu种子层;4)生长纳米线:将沉积有Cu种子层的基底置于NaOH和(NH4)2S2O8的混合溶液中,以生长超致密Cu(OH)2纳米线。本发明还公开以一种超致密Cu(OH)2纳米线。本发明制备形成的Cu(OH)2纳米线的形貌具有质量更高、更加致密、比表面积大的特性。


发明专利3:一种基于稀疏的微小缺陷高频超声显微成像超分辨的方法

发明人:廖广兰,张贻春,史铁林,王西彬,汤自荣,洪源,王肖,陈科鹏

专利号:ZL 201610827780.6

专利权人:18luck新利电竞

简介:本发明属于稀疏超分辨检测领域,并公开了一种基于稀疏的微小缺陷高频超声显微成像超分辨的方法。该方法包括如下步骤:执行过采样高频超声显微C扫成像;根据过采样时的采样步长与超声探头分辨率,计算出探头点扩散函数k;由点扩散函数根据进行稀疏超分辨计算,获得最终高分辨图像。本发明方法实现了高频显微成像对现微小缺陷进行超分辨显微成像,增强图像信噪比和分辨率,提高微小缺陷检测的准确性,同时对于微观缺陷的检测有着重要意义,有效推动了微器件可靠性的发展。


发明专利4:一种基于数字散斑的远心显微双目立体视觉测量方法

发明人:廖广兰,陈科鹏,史铁林,王西彬,汤自荣,张贻春,洪源,王肖

专利号:ZL 201610993471.6

专利权人:18luck新利电竞

简介:本发明公开了一种基于数字散斑的远心显微双目立体视觉测量方法,包括以下步骤;1)搭建远心显微双目立体视觉测量平台;2)对测量平台进行标定,确定左、右远心相机的内外参数及相对位置关系;3)通过投影仪在微小物体表面投射数字散斑图案;4)利用左、右远心相机同时拍摄表面覆盖有散斑图案的待测微小物体,采集左散斑图像和右散斑图像;5)对左散斑图像和右散斑图像进行图像匹配,获取左散斑图像和右散斑图像中对应点的匹配关系,根据左、右远心相机的内外参数,相对位置关系获得微小物体的三维点云数据;6)根据三维点云数据重建微小物体的三维形貌,获取待测微小物体三维尺寸信息。本发明具有测量速度快,测量精度高等优点。

二、拟交易价格

协议转让:8万元

三、价格形成过程

学校委托武汉中康正资产评估有限公司对该项目进行资产评估,评估价值为人民币7.92万元。经全体发明人同意,并与上海纬冉科技有限公司协商,双方同意该成果以协议定价8万元转让。

特此公示,公示期15日,自2021年7月5日起至2021年7月19日。如有异议,请于公示期内以书面形式实名向我院反映。

联系人:曹老师

联系电话:87558732

科学技术发展院

2021年7月5日

©版权所有:18luck新利电竞 科学技术发展院

地址: 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号南三楼109、110,南一楼西楼102,东一楼340 邮政编码:430074 Tel:027-87543315 027-87558732 027-87559760 mail:iat@hust.edu.cn