王兴晟
专利
当前位置: Chinese homepage >> 科学研究 >> 专利- 王兴晟,张子冲,缪向水.一种增强铪基铁电薄膜极化的热再唤醒操作方法及系统.发明,ZL 2023 1 0553633.4,2023-05-17
- 王兴晟,马颖昊,阳帆,缪向水.忆阻器的自写止操作电路及自写止操作方法.发明,ZL202310122808.6,2023-02-16
- 王兴晟,余豪,王成旭,缪向水.一种非对称铁电隧穿结多值存储单元的调制方法.发明,ZL202010049214.3,2020-01-16
- 王兴晟,王成旭,余豪,缪向水.非对称的铁电功能层阵列、铁电隧道结多值存储单元的制备方法.发明,ZL202010049246.3,2020-01-16
- 王兴晟,宋玉洁,缪向水.一种电极修饰层、忆阻器及其制备和控制方法.发明,ZL202011495419.0,2020-12-17
- 王兴晟,王成旭,缪向水.一种超晶格忆阻器功能层材料、忆阻器单元及其制备方法.发明,ZL201911350103.X,2019-12-24
- 王兴晟,阳帆,周凌珺,王成旭,缪向水.一种三维相变存储器的读写电路.发明,ZL202110575670.6,2021-05-26
- 王兴晟,吴绮雯,宋玉洁,王成旭,缪向水.一种基于忆阻器的完备非易失布尔逻辑电路及操作方法.发明,ZL202110664754.7,2021-06-16
- 王兴晟,郭凯,宋玉洁,阳帆,缪向水.一种物理不可克隆函数电路及其操作方法.发明,ZL202110267847.6,2021-03-12
- 王兴晟,黄恩铭,缪向水.READ-WRITE CIRCUIT AND READ-WRITE METHOD OF MEMRISTOR.PCT或外国申请,US11238928,2020-10-19