第2届国际氮化物半导体会议概述

【期数】：1998年05期

【作者】：杨树人

【摘要】： GaN及其固溶体等氮化物是极为重要的宽禁带（1.9～6.2 eV）直接带隙半导体材料。有人称它们是继第一代半导体材料Ge,si,第二代半导体材料GaAs和InP等之后的第三代半导体材料,并预计它们将会像Si,GaAs和InP那样对人类社会的进步起巨大的推动作用。但过去,由于GaN熔点高、离解压高,它的体单晶制备非常困难,而外延生长的(GaN薄膜质量不高,P型掺杂也一直未能解决,这些问题阻碍了氮化物半导体研究的进程。80年代末,GaN的研究获得重大突破。利用MOVPE技术,在蓝宝石（α-Al2O3）衬底上,采用两步外延生长法,提高了GaN外延层的质量。接着又解决了P型掺杂的问题,为GaN基材料的发展和器件的研制打下了基础。1994年GaN基高亮度蓝光发光二级管（LED）商品化,在半导体领域和相关的产业界引起极大的轰动。此后,在全世界迅速掀起氮化物半导体研究的热潮。