SOI技术占领市场还有待时日

【期数】：1998年05期

【作者】：奚雪梅

【摘要】： 1997年国际SOI（绝缘层上的硅）会议于10月6～9日在美国加利福尼亚州召开,有200余名学者与会。会上发表论文90余篇,内容涉及材料制备与表征,器件物理,模型模拟,电路制造与应用等方面。 1 SOI材料制备主要是SIMOX和硅片键合两种材料的质量改善。日本Komatsu Electronic Metals公司对SIMOX材料在过去ITOX（Internal Thermal Oxidation）新工艺的基础上提出了低注入剂量2.8×1017cm-2,传统注入剂量为1.8×1018cm-2.美Sandia Lab加H2气氛（5%H2+95%N2）退火来减小埋氧化层泄漏电流。在Unibond技术中,Bell Lab提出了一个多种离子共注入引起硅内空洞的机制。也有分析SOI材料缺陷特征,并提出增加B+注入来降低Si片裂开的温度,但所有工作仍是在SOI材料的改进上。 2 SOI器件制备