加大对铁电薄膜及应用研究的支持

【期数】：2003年02期

【作者】：王弘

【摘要】： 第10届国际铁电学会议于2001年9月3～7日在西班牙马德里举行,会议主席是Julio A.Gonzalo教授。有中、美、英、法、德、意、西班牙、日、韩等20多个国家和地区,共800多人参会,会议论文近千篇,其中邀请报告65篇,口头报告57篇。本届国际铁电学会议规模大,内容丰富。所研究的材料包括晶体,薄膜,陶瓷,有机铁电体,玻璃,纳米材料等;研究内容包括铁电材料的相变和临界现象,介电和微波性质,结构,畴与畴界,NMR,ESP,NQR研究,高压下的性质,铁电、光学、热学性质及新应用等。我国学者参会的有山东大学、四川大学、北京物理所、上海硅酸盐所、长春应化所等单位近10人。论文10多篇。山东大学晶体材料国家重点实验室王弘教授等发表学术论文":Dielectric properties of Bi2Ti2O7 thinfilms grown by APMOCVD"。会议期间,中国学者与美、英、墨西哥、西班牙等国学者进行了交流和合作研讨。笔者和英国剑桥大学的J.Scott.教授达成合作研究协议,共同申请中英合作研究基金课题。有许多在美、英、德、日等国工作的中国青年学者也和国内同行进行了友好的交流,表达了合作的意向和愿望。