SiC晶体生长设备考察

【期数】：2002年04期

【作者】：徐现刚;胡小波

【摘要】： 根据晶体所发展规划,鉴于SiC作为第3代半导体器件的重要材料,以及与台湾富士康公司合作的第2批捐款投资方向的考虑,晶体材料研究所拟决定研究和开发SiC单晶材料。受晶体所的委托,徐现刚教授、胡小波副教授一行两人对瑞典Epigress公司的SB50型SiC单晶生长炉进行了为期一周的考察。首先,我们访问了Linkoping大学物理系,该系与Epigress公司有长期的合作项目,3年前购买了一台SB50单晶炉,主要从事6H-SiC晶体的生长,并成功地获得了直径为35mm的6H-SiC单晶,但对4H-SiC晶体生长的工作进行得较少,至目前为止,他们还未曾尝试过2"SiC单晶的生长。众所周知,对于高完整性单晶的生长,温场的分布十分重要。M.Syvajarvi博士向我们展示了他们在晶体生长